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Optimierung der Kristallzüchtung unter Einbeziehung von Strukturbildungsmechanismen als Folge konvektiver Wechselwirkungen in der Schmelze, Teilvorhaben: Numerische Simulation von Strukturbildungsmechanismen bei der Kristallzüchtung hochschmelzender Oxide : Schlussbericht eines Forschungsprojektes im Rahmen des Themas "Technische Anwendung von Erkenntnissen der Nichtlinearen Dynamik" - Strukturbildung

2003, Wilke, Hermann, Ackermann, L.

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Verbundprojekt: Entwicklung von multikristallinem Solarsilicium mit hohem photovoltaischen Wirkungsgrad und verbesserter Prozessausbeute (GESSICA II), Teilprojekt: Strukturelle Charakterisierung von Defekten in Randschichten von im Blockgussverfahren hergestelltem Solarsilicium : Abschlussbericht

2005, Irmscher, Klaus, Doerschel, Jürgen, Juda, Uta, Naumann, Martin, Roßberg, Matthias

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Technologie- und Verfahrensentwicklung zur Abscheidung von p-Siliziumkarbid nach dem Chemical Vapour Deposition (CVD)-Verfahren : Abschlußbericht

2003, Wagner, Günther, Doerschel, J., Irmscher, K., Leitenberger, W., Lux, Krist B., Roßberg, M.

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Entwicklung eines VCz-Züchtungsverfahrens für 150 mm SI GaAs-Kristalle : Schlußbericht ; Kurztitel: 150 mm GaAs-VCz Kristalle

2003, Neubert, Michael, Czupalla, M., Fischer, J., Hojnacki, A., Lange, R.-P., Pilatzek, M., Frank-Rotsch, Christiane, Kupfer, U., Naumann, M., Pietsch, M., Rudolph, P.

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Entwicklung und Erprobung neuer Instrumente zur Bildung von Verwertungs- und Transfernetzen innerhalb der Leibniz-Gemeinschaft: Leibniz WideBaSe Research : Abschlussbericht

2009, Weyers, Markus, Brunner, F., Hübener, N., Knauer, A., Küller, V., Petzke, T., Reentilä, O., Tessaro, T., Wollweber, J., Hartmann, C., Dittmar, A., Nitschke, A., Ziem, M., Lange, P., Jendritzki, U.

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Verbundprojekt: Untersuchung der Möglichkeiten zur Züchtung von SiC-Einkristallen und zur Bereitstellung von Wafern aus SiC, Teilvorhaben: Aufbau der Anlagenbasis, Kristallzüchtung und Bereitstellung von SiC-Wafern : Abschlußbericht

2001, Siche, D., Rost, H.-J.

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Grundlegende Untersuchungen zur Herstellung perfekter, N-dotierter 4H-SiC-Einkristalle hoher Leitfähigkeit und zum Dotierungseinfluss auf den Waferingprozess : Abschlussbericht

2003, Siche, D., Rost, H.-J., Schulz, D., Wollweber, J., Freiberg, A., Schäbitz, K., Lux, B., Wurche, T., Böttcher, K., Doerschel, J., Irmscher, K., Alex, V., Wagner, G.

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