Entwicklung eines VCz-Züchtungsverfahrens für 150 mm SI GaAs-Kristalle : Schlußbericht ; Kurztitel: 150 mm GaAs-VCz Kristalle

Abstract

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Description
Keywords
GaAs, 150 mm diameter, VCz crystal growth, dislocation density
Citation
Neubert, M., Czupalla, M., Fischer, J., Hojnacki, A., Lange, R.-P., Pilatzek, M., et al. (2003). Entwicklung eines VCz-Züchtungsverfahrens für 150 mm SI GaAs-Kristalle : Schlußbericht ; Kurztitel: 150 mm GaAs-VCz Kristalle. Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB). https://doi.org//10.2314/GBV:374770336
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