Das binäre Teilsystem BaO ∙ 2SiO2 - 2BaO ∙ 3SiO2

Abstract

Extension of the phase diagram for the partial system BaO ∙ 2 Si02-2 BaO ∙ 3 SiO2 in view of data available in the literature is discussed. The high and low temperature forms of the compounds BaSi205, Ba3Si5013, Ba5Si8021 and Ba2Si308 are characterized by lattice constants , space groups, X-ray diffraction patterns and thermal expansion . Ba3Si5013 is stable only above 1300 °C; Ba5Si8021 shows a reversible inversion at 1085 °C and Ba2Si308 a similar inversion at 1009 °C. Formation of mixed crystals of the phases at high temperature does not seem probable according to refined lattice parameter data . Ein erweitertes Phasendiagramm des Teilsystems BaO ∙ 2 SiO2 - 2 BaO ∙ 3 SiO2 wird in Zusammenhang mit abweichenden Literaturdaten diskutiert. Die Verbindungen Hoch- und Tief-BaSi2O5, Ba3Si5O13, Hoch- und Tief-Ba5Si8O21 und Hoch- und Tief-Ba2Si3O8 werden durch Gitterkonstanten, Raumgruppe, Röntgenpulverdiagramme und Wärmeausdehnung charakterisiert. Ba3Si5O13 ist nur oberhalb 1300 °C stabil, Ba5Si8O21 zeigt eine reversible Umwandlung bei 1085 °C, Ba2Si3O8 eine reversible Umwandlung bei 1009 °C. Eine Mischkristallbildung der Phasen bei höheren Temperaturen wird an Hand der Ergebnisse von Gitterkonstantenverfeinerungen nicht für wahrscheinlich gehalten.