GaN-Epitaxie, Prozesstechnologie und Aufbautechnik : Abschlussbericht ; Wachstumskern Berlin WideBaSe, Verbundprojekt 7: Hocheffiziente Leistungs-Mikrowellenverstärker und Oszillatoren, Teilprojekt 7.3: GaN-Epitaxie, Prozesstechnologie und Aufbautechnik ; Berichtslaufzeit: 01.07.2010 bis 31.12.2013

dc.contributor.author	Lossy, R.
dc.date.accessioned	2016-03-24T17:37:05Z
dc.date.available	2019-06-28T07:30:11Z
dc.date.issued	2013
dc.description.abstract	[no abstract available]	eng
dc.description.version	publishedVersion	eng
dc.identifier.uri	https://oa.tib.eu/renate/handle/123456789/1284
dc.language.iso	ger	eng
dc.publisher	Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB)	eng
dc.relation.doi	https://doi.org/10.2314/GBV:798844728
dc.rights.license	This document may be downloaded, read, stored and printed for your own use within the limits of § 53 UrhG but it may not be distributed via the internet or passed on to external parties.	eng
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dc.subject.ddc	620	eng
dc.title	GaN-Epitaxie, Prozesstechnologie und Aufbautechnik : Abschlussbericht ; Wachstumskern Berlin WideBaSe, Verbundprojekt 7: Hocheffiziente Leistungs-Mikrowellenverstärker und Oszillatoren, Teilprojekt 7.3: GaN-Epitaxie, Prozesstechnologie und Aufbautechnik ; Berichtslaufzeit: 01.07.2010 bis 31.12.2013	eng
dc.type	Report	eng
dc.type	Text	eng
tib.accessRights	openAccess	eng
wgl.contributor	FBH	eng
wgl.subject	Ingenieurwissenschaften	eng
wgl.type	Report / Forschungsbericht / Arbeitspapier	eng

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