GaN Dioden und selbstsperrende GaN Schalttransistoren für effiziente Leistungswandler (GaN Powerswitch) : Verbundprojekt Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotentiale (PowerGaNPlus) ; im BMBF Verbundvorhaben Leistungselektronik zur Energieeffizienz-Steigerung (LES) ; Laufzeit des Vorhabens: 1.06.2010 bis 31.05.2013

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Date
2014
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Publisher
Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB)
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Abstract

Es wurden GaN-basierte laterale Dioden mit geringer Einsatzspannung und intrinsisch selbstsperrende Transistoren für den Einsatz in Schaltkonvertern realisiert. Transisorergebnisse:

  • Basierend auf dem p-GaN-Gate Modul wurden selbstsperrende 100 m / 600 V Transistoren mit 1 V Einsatzspannung realisiert.
  • Durch den Einsatz eines eisendotierten GaN-Puffers konnte die Erhöhung des dynamischen Einschaltwiderstands für das 250 V Schalten auf den Faktor 2.6 reduziert werden.
  • Die Schaltverluste sind kleiner als für Si-basierte Superjunction MOSFETs. Diodenergebnisse:
  • Durch die Entwicklung des zurückgesetzten Anodenkontaktes konnten 300 m / 600 V Dioden mit 0.5 V Einsatzspannung realisiert werden.
  • Die Schaltverluste sind so klein wie bei SiC-basierten HV-Schottkydioden.
  • Die Dioden wurden erfolgreich im Boost-Konverter (Systemdemonstrator) der Uni Erlangen eingesetzt.

GaN-based lateral diodes with low onset voltage and intrinsically normally-off transistors for the use in switch-mode power converters have been realized. Results for the transistors:

  • Normally-off 100 m / 600 V transistors with 1 V threshold voltage have been realized by using a p-GaN gate module.
  • The increase in dynamic on-state resistance for 250 V switching was reduced to a factor 2.6 by introducing an iron-doped GaN buffer.
  • The switching losses are smaller than for Si-based superjunction MOSFETs Results for the diodes:
  • 300 m / 600 V Schottky diodes with 0.5 V onset voltage have been realized by developing the recessed anode contact.
  • The switching losses are as small as for SiC-based high voltage Schottky diodes.
  • The diodes have successfully been used in the boost converter of Erlangen university (system demonstrator).
Description
Keywords
GaN, Transistor, Diode, Schaltkonverter, Schalttransistor, Schottkydiode, Leistungselektronik, GaN, transistor, switch mode converter, switching transistor, Schottky diode, power electronic
Citation
Hilt, O. (2014). GaN Dioden und selbstsperrende GaN Schalttransistoren für effiziente Leistungswandler (GaN Powerswitch) : Verbundprojekt Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotentiale (PowerGaNPlus) ; im BMBF Verbundvorhaben Leistungselektronik zur Energieeffizienz-Steigerung (LES) ; Laufzeit des Vorhabens: 1.06.2010 bis 31.05.2013. Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB). https://doi.org//10.2314/GBV:798846046
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